Toepassing van 850 graden patroonverwarmer in de halfgeleiderindustrie

Oct 15, 2020

Laat een bericht achter

Toepassing van 850 graden patroonverwarmer in de halfgeleiderindustrie

De halfgeleiderindustrie stelt extreem hoge eisen aan verwarmingsapparatuur, vooral bij processen zoals het gloeien van wafers, diffusie en ionenimplantatie, waarvoor een stabiele, uniforme verwarming op hoge- temperatuur vereist is. Gewone patroonverwarmers kunnen niet voldoen aan de strenge temperatuurvereisten van deze processen, terwijl de 850 graden patroonverwarmer de kernverwarmingscomponent is geworden in de halfgeleiderindustrie vanwege de uitstekende prestaties en stabiliteit bij hoge -temperaturen. In feite hebben de kwaliteit en prestaties van een patroonverwarmer van 850 graden rechtstreeks invloed op de opbrengst en kwaliteit van halfgeleiderproducten.

Het uitgloeien van wafers is een van de belangrijkste processen bij de productie van halfgeleiders, waarbij de wafer moet worden verwarmd tot 700-850 graden en een stabiele temperatuur gedurende een bepaalde periode moet worden gehandhaafd om interne spanningen te elimineren en de elektrische prestaties van de wafer te verbeteren. De 850 graden patroonverwarmer is speciaal ontworpen voor dit proces. Hij kan stabiel de hoge temperatuur van 850 graden bereiken en behouden, en de temperatuuruniformiteit ligt binnen ± 5 graden, wat ervoor kan zorgen dat de hele wafel gelijkmatig wordt verwarmd, waardoor lokale oververhitting of onvoldoende verwarming wordt vermeden. Volgens de ervaring moet de patroonverwarmer die bij het gloeien van wafers wordt gebruikt een vermogensdichtheid van 6-7 W/cm² hebben, waardoor de wafer snel tot de ingestelde temperatuur kan worden verwarmd en de stabiliteit behouden blijft. Bovendien moet de mantel van de patroonverwarmer gemaakt zijn van Incoloy 600, dat een uitstekende corrosieweerstand heeft en verontreiniging van de wafer door metaalionen kan voorkomen.

Bij het diffusieproces wordt de patroonverwarmer van 850 graden gebruikt om de diffusieoven tot 800-850 graden te verwarmen, zodat de onzuiverheidsatomen (zoals boor en fosfor) in de wafer kunnen diffunderen en een PN-overgang kunnen vormen. Dit proces stelt extreem hoge eisen aan temperatuurstabiliteit; zelfs een kleine temperatuurschommeling (meer dan ±3 graden) zal de diffusiediepte en uniformiteit van onzuiverheidsatomen beïnvloeden, wat leidt tot ongekwalificeerde halfgeleiderproducten. De patroonverwarmer van 850 graden heeft een uitstekende temperatuurstabiliteit en kan de ingestelde temperatuur lange tijd handhaven zonder duidelijke schommelingen. Bovendien moet de patroonverwarmer die in het diffusieproces wordt gebruikt, in een afgesloten omgeving worden geïnstalleerd, dus deze moet goede isolatieprestaties en luchtdichtheid hebben om lekkage te voorkomen en de productieveiligheid te garanderen.

Ionenimplantatie is een ander belangrijk proces bij de productie van halfgeleiders, waarbij de wafel tot 300-850 graden moet worden verwarmd om de schade veroorzaakt door ionenimplantatie te verminderen en de activeringsefficiëntie van onzuiverheidsatomen te verbeteren. De patroonverwarmer van 850 graden wordt gebruikt om het waferplatform te verwarmen, waardoor de temperatuur snel kan worden aangepast aan de procesvereisten en een uniforme verwarming kan worden gehandhaafd. De lengte en diameter van de patroonverwarmer moeten worden afgestemd op de grootte van het wafelplatform om ervoor te zorgen dat het gehele wafelplatform gelijkmatig wordt verwarmd. Volgens de ervaring zou de patroonverwarmer die bij ionenimplantatie wordt gebruikt een vermogensdichtheid van 5-6 W/cm² moeten kiezen, wat de verwarmingssnelheid en temperatuurstabiliteit in evenwicht kan brengen en schade aan de wafer als gevolg van oververhitting kan voorkomen.

Naast de bovengenoemde processen wordt de 850 graden patroonverwarmer ook veel gebruikt in andere schakels van de halfgeleiderproductie, zoals chemische dampafzetting (CVD) en fysieke dampafzetting (PVD). Bij deze processen wordt de patroonverwarmer gebruikt om de reactiekamer tot 600-850 graden te verwarmen, waardoor een stabiele reactieomgeving voor het afzettingsproces ontstaat. De hoge temperatuurbestendigheid en corrosieweerstand van de patroonverwarmer kunnen ervoor zorgen dat deze stabiel werkt in de barre omgeving van de reactiekamer (zoals corrosieve gassen en hoog vacuüm), en de lange levensduur kan de frequentie van vervanging en onderhoud verminderen, waardoor de continuïteit van de productie wordt gewaarborgd.

Kortom: de 850 graden patroonverwarmer speelt een onvervangbare rol in de halfgeleiderindustrie, en zijn stabiele hoge- temperatuurprestaties, uniforme verwarming en corrosieweerstand kunnen voldoen aan de strenge eisen van verschillende halfgeleiderproductieprocessen. Er moet echter worden opgemerkt dat de patroonverwarmer die in de halfgeleiderindustrie wordt gebruikt, aan hogere kwaliteitsnormen moet voldoen, zoals een lage afgifte van metaalionen, hoge temperatuuruniformiteit en goede isolatieprestaties. Verschillende halfgeleiderproductieprocessen stellen verschillende eisen aan de patroonverwarmer, dus het is noodzakelijk om professionele oplossingen te ontwerpen volgens het specifieke proces om de prestaties van de 850 graden patroonverwarmer te maximaliseren en de kwaliteit van halfgeleiderproducten te garanderen.

Aanvraag sturen
Neem contact met ons opals u vragen heeft

U kunt contact met ons opnemen via telefoon, e-mail of het onderstaande online formulier. Onze specialist neemt spoedig contact met u op.

Neem nu contact op!